그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 200 Ω, R₂ = 50 Ω, R₃ = 200 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 200 ΩR2 = 50 ΩR3 = 200 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 12 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 250 ΩR2 = 200 ΩR3 = 60 ΩR4 = 120 Ω
Vab = V
3.보통
250 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 250 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 2 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 2 VR = 250 Ω
Pg = mW
4.보통
브리지의 네 변이 모두 470 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 23.5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 470 ΩΔR = 23.5 Ω
Vab = mV
5.어려움
E = 210 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.1)가 5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 2.625 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1Vo = 2.625 mVE = 210 GPa
σ = MPa
6.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 600 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 600 µε
Vo = mV
정답표
- 1. R4 = 50 Ω
- 2. Vab = −2.667 V
- 3. Pg = 4 mW
- 4. Vab = 73.17 mV
- 5. σ = 210 MPa
- 6. Vo = 6.3 mV
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