그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 12 VR1 = 100 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 10 ΩR4 = 120 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 15 V, R₁ = 250 Ω, R₂ = 200 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 250 ΩR2 = 200 ΩR3 = 300 ΩR4 = 250 Ω
Va = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 100 ΩR2 = 100 ΩR3 = 50 ΩR4 = 80 Ω
Rth = Ω
4.보통
100 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 100 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 100 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 750 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 750 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 2.5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 600 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1εmax = 600 µεVFS = 5 V
G =
정답표
- 1. Is = 103.2 mA
- 2. Va = 6.667 V
- 3. Rth = 80.77 Ω
- 4. Pg = 90 mW
- 5. Vo = 1.969 mV
- 6. G = 6349
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