그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 1000 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 40 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 200 Ω, R₂ = 250 Ω, R₃ = 80 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 200 ΩR2 = 250 ΩR3 = 80 Ω
R4 = Ω
3.보통
네 변이 모두 220 Ω인 브리지에 9 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 254.7 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR = 220 ΩVab = 254.7 mV
ΔR = Ω
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 120 ΩR2 = 100 ΩR3 = 150 ΩR4 = 100 Ω
Rth = Ω
5.어려움
게이지율 2.05인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 1.64 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2.05ΔR = 1.64 Ω
ε = µε
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.875 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2Vo = 1.875 mV
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 1500 Ω
- 2. R4 = 100 Ω
- 3. ΔR = 26.4 Ω
- 4. Rth = 114.5 Ω
- 5. ε = 800 µε
- 6. ε = 750 µε
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