그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 1000 Ω, R₃ = 150 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 80 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 150 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 12 V, R₁ = 50 Ω, R₂ = 100 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 50 ΩR2 = 100 ΩR3 = 20 ΩR4 = 150 Ω
Va = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 1000 ΩR2 = 300 ΩR3 = 20 ΩR4 = 300 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 300 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 75 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR = 300 ΩΔR = 75 Ω
Vab = mV
5.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.1)인 1/4 브리지에 2.5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.05 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1Vo = 1.05 mV
ε = µε
6.어려움
E = 110 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 2.5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 0.663 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.12Vo = 0.663 mVE = 110 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. R4 = 1875 Ω
- 2. Va = 8 V
- 3. Rth = 249.5 Ω
- 4. Vab = 277.8 mV
- 5. ε = 800 µε
- 6. σ = 55.04 MPa
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