정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

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이름: ____________________   날짜: ____________

1.쉬움
+−12 VR1​ = 150 ΩR2​ = 40 ΩR3​ = 500 ΩR4​ = 300 Ωab+−

그림의 브리지에서 Vs = 12 V, R₁ = 150 Ω, R₂ = 40 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.

Vs = 12 VR1 = 150 ΩR2 = 40 ΩR3 = 500 ΩR4 = 300 Ω
Va = V
2.쉬움
+−2 VR1​ = 50 ΩR2​ = 150 ΩR3​ = 250 ΩR4​ = 800 Ωab+−

그림의 브리지에 Vs = 2 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 2 VR1 = 50 ΩR2 = 150 ΩR3 = 250 ΩR4 = 800 Ω
Is = mA
3.보통
+−6 V100 Ω100 Ω100 Ω100 Ωab+−

100 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 100 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.

Vs = 6 VR = 100 Ω
Pg = mW
4.보통
+−9 VR1​ = 200 ΩR2​ = 300 ΩR3​ = 60 ΩR4​ = 100 ΩabGRg​ = 500 Ω

저항 500 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 9 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.

Vs = 9 VR1 = 200 ΩR2 = 300 ΩR3 = 60 ΩR4 = 100 ΩRg = 500 Ω
Ig = µA
5.어려움
+−3 V1000 Ω − ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vo​ = ?

네 변이 1000 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 800 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 3 VGF = 2.05ε = 800 µε
Vo = mV
6.어려움
+−3 V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−Vo​ = ?

네 변이 120 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 800 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 3 VGF = 2ε = 800 µε
Vo = mV

정답표

  1. 1. Va = 2.526 V
  2. 2. Is = 11.9 mA
  3. 3. Pg = 90 mW
  4. 4. Ig = −342.2 µA
  5. 5. Vo = 2.46 mV
  6. 6. Vo = 1.2 mV

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