그림의 브리지에서 Vs = 3 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 250 ΩR2 = 100 ΩR3 = 200 ΩR4 = 10 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 200 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 500 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 200 ΩR2 = 200 ΩR3 = 500 Ω
R4 = Ω
3.보통
네 변이 모두 300 Ω인 브리지에 10 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 122 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR = 300 ΩVab = 122 mV
ΔR = Ω
4.보통
1000 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 1000 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 1000 Ω
Pg = mW
5.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.05)인 1/4 브리지에 3 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.153 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.05Vo = 1.153 mV
ε = µε
6.어려움
E = 200 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.05)가 10 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 3.844 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05Vo = 3.844 mVE = 200 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. Vab = 0.7143 V
- 2. R4 = 500 Ω
- 3. ΔR = 15 Ω
- 4. Pg = 9 mW
- 5. ε = 749.9 µε
- 6. σ = 150 MPa
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