그림의 브리지에 Vs = 2 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 2 VR1 = 600 ΩR2 = 150 ΩR3 = 800 ΩR4 = 300 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 10 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR1 = 200 ΩR2 = 250 ΩR3 = 600 ΩR4 = 150 Ω
Vab = V
3.보통
100 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 100 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 100 Ω
Pg = mW
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 500 ΩR2 = 150 ΩR3 = 150 ΩR4 = 120 Ω
Rth = Ω
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 2.5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 800 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 3.3 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1εmax = 800 µεVFS = 3.3 V
G =
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 1500 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1εmax = 1500 µεVFS = 2.5 V
G =
정답표
- 1. Is = 4.485 mA
- 2. Vab = 3.556 V
- 3. Pg = 90 mW
- 4. Rth = 182.1 Ω
- 5. G = 3143
- 6. G = 317.5
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