그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 100 Ω, R₂ = 80 Ω, R₃ = 200 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 100 ΩR2 = 80 ΩR3 = 200 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 800 Ω, R₂ = 800 Ω, R₃ = 10 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 800 ΩR2 = 800 ΩR3 = 10 Ω
R4 = Ω
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 100 ΩR2 = 20 ΩR3 = 300 ΩR4 = 600 Ω
Rth = Ω
4.보통
네 변이 모두 1000 Ω인 브리지에 9 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 214.3 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR = 1000 ΩVab = 214.3 mV
ΔR = Ω
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 3 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 250 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 3.3 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1εmax = 250 µεVFS = 3.3 V
G =
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 2.5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.5 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2Vo = 1.5 mV
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 160 Ω
- 2. R4 = 10 Ω
- 3. Rth = 216.7 Ω
- 4. ΔR = 100 Ω
- 5. G = 8381
- 6. ε = 1200 µε
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