그림의 브리지에 Vs = 3 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 300 ΩR2 = 150 ΩR3 = 100 ΩR4 = 250 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 300 ΩR2 = 150 ΩR3 = 150 ΩR4 = 80 Ω
Is = mA
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 500 ΩR2 = 150 ΩR3 = 400 ΩR4 = 10 Ω
Rth = Ω
4.보통
220 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 220 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 220 Ω
Pg = mW
5.어려움
E = 110 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 10 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 3.18 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.12Vo = 3.18 mVE = 110 GPa
σ = MPa
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.12)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 400 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.12εmax = 400 µεVFS = 2.5 V
G =
정답표
- 1. Is = 15.24 mA
- 2. Is = 78.84 mA
- 3. Rth = 125.1 Ω
- 4. Pg = 28.41 mW
- 5. σ = 66 MPa
- 6. G = 1179
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