그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 50 Ω, R₂ = 300 Ω, R₃ = 800 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 50 ΩR2 = 300 ΩR3 = 800 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 200 Ω, R₂ = 400 Ω, R₃ = 1000 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 200 ΩR2 = 400 ΩR3 = 1000 Ω
R4 = Ω
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 800 ΩR2 = 20 ΩR3 = 20 ΩR4 = 200 Ω
Rth = Ω
4.보통
네 변이 모두 1000 Ω인 브리지에 6 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 58.82 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR = 1000 ΩVab = 58.82 mV
ΔR = Ω
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.12ε = 500 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.12)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 800 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 3.3 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.12εmax = 800 µεVFS = 3.3 V
G =
정답표
- 1. R4 = 4800 Ω
- 2. R4 = 2000 Ω
- 3. Rth = 37.69 Ω
- 4. ΔR = 40 Ω
- 5. Vo = 1.325 mV
- 6. G = 778.3
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