그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 800 Ω, R₂ = 200 Ω, R₄ = 100 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 800 ΩR2 = 200 ΩR4 = 100 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 150 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 300 ΩR4 = 500 Ω
Is = mA
3.보통
브리지의 네 변이 모두 500 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 1.25 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR = 500 ΩΔR = 1.25 Ω
Vab = mV
4.보통
470 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 470 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 470 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1ε = 400 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.05인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 1.64 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2.05ΔR = 1.64 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 400 Ω
- 2. Is = 25.43 mA
- 3. Vab = 1.875 mV
- 4. Pg = 53.19 mW
- 5. Vo = 1.26 mV
- 6. ε = 800 µε
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