정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

무료 인쇄용 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지: 쉬운 문제부터 시험 수준까지 6문제, 정답표 포함. 인쇄하거나 PDF로 저장하세요.

교수자 안내: 수업에서 무료로 인쇄, 복사, 사용할 수 있습니다. 새 워크시트마다 값이 새로 바뀌고 별도의 정답이 함께 제공됩니다. 강의 페이지에 ExamProblems 링크를 걸어 주시면 감사하겠습니다.

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1.쉬움
+−10 VR1​ = 400 ΩR2​ = 300 ΩR3​ = 80 ΩR4​ = ?abG0

그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 400 Ω, R₂ = 300 Ω, R₃ = 80 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.

R1 = 400 ΩR2 = 300 ΩR3 = 80 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
+−6 VR1​ = 500 ΩR2​ = 150 ΩR3​ = 600 ΩR4​ = 20 Ωab+−

그림의 브리지에 Vs = 6 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 6 VR1 = 500 ΩR2 = 150 ΩR3 = 600 ΩR4 = 20 Ω
Is = mA
3.보통
+−10 VR1​ = 50 ΩR2​ = 80 ΩR3​ = 10 ΩR4​ = 200 Ωab+−Rth​ = ?

그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.

Vs = 10 VR1 = 50 ΩR2 = 80 ΩR3 = 10 ΩR4 = 200 Ω
Rth = Ω
4.보통
+−3 V1000 Ω1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vab​ = ?

브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 80 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 3 VR = 1000 ΩΔR = 80 Ω
Vab = mV
5.어려움
+−10 V350 Ω − ΔR350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−Vo​ = ?

네 변이 350 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 10 VGF = 2.05ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
+−V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−

게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.12 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.12 Ω
ε = µε

정답표

  1. 1. R4 = 60 Ω
  2. 2. Is = 18.91 mA
  3. 3. Rth = 40.29 Ω
  4. 4. Vab = 57.69 mV
  5. 5. Vo = 10.25 mV
  6. 6. ε = 500 µε

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