그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 400 Ω, R₂ = 10 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 400 ΩR2 = 10 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 12 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 120 ΩR2 = 40 ΩR3 = 10 ΩR4 = 60 Ω
Vab = V
3.보통
네 변이 모두 200 Ω인 브리지에 10 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 98.04 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR = 200 ΩVab = 98.04 mV
ΔR = Ω
4.보통
330 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 330 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 2 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 2 VR = 330 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.05)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.281 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.05Vo = 1.281 mV
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 1.5 Ω
- 2. Vab = −7.286 V
- 3. ΔR = 8 Ω
- 4. Pg = 3.03 mW
- 5. Vo = 10.5 mV
- 6. ε = 499.9 µε
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