그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 150 Ω, R₄ = 500 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 300 ΩR2 = 150 ΩR4 = 500 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 15 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 40 ΩR2 = 300 ΩR3 = 80 ΩR4 = 10 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 1000 ΩR2 = 300 ΩR3 = 10 ΩR4 = 200 Ω
Rth = Ω
4.보통
네 변이 모두 250 Ω인 브리지에 15 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 147.1 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR = 250 ΩVab = 147.1 mV
ΔR = Ω
5.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.1)가 10 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 5.25 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1Vo = 5.25 mVE = 70 GPa
σ = MPa
6.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2ε = 1500 µε
Vo = mV
정답표
- 1. R3 = 1000 Ω
- 2. Vab = 11.57 V
- 3. Rth = 240.3 Ω
- 4. ΔR = 10 Ω
- 5. σ = 70 MPa
- 6. Vo = 30 mV
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