그림의 브리지에 Vs = 10 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 800 ΩR2 = 200 ΩR3 = 120 ΩR4 = 200 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 400 Ω, R₂ = 400 Ω, R₄ = 40 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 400 ΩR2 = 400 ΩR4 = 40 Ω
R3 = Ω
3.보통
330 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 330 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 330 Ω
Pg = mW
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 800 ΩR2 = 500 ΩR3 = 500 ΩR4 = 800 Ω
Rth = Ω
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.12)에 2.5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 750 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.12εmax = 750 µεVFS = 2.5 V
G =
정답표
- 1. Is = 41.25 mA
- 2. R3 = 40 Ω
- 3. Pg = 75.76 mW
- 4. Rth = 615.4 Ω
- 5. Vo = 10.5 mV
- 6. G = 2516
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