그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 120 Ω, R₃ = 150 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 300 ΩR2 = 120 ΩR3 = 150 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 120 Ω, R₄ = 120 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 80 ΩR2 = 120 ΩR4 = 120 Ω
R3 = Ω
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR1 = 120 ΩR2 = 20 ΩR3 = 500 ΩR4 = 100 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 330 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 1.32 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 330 ΩΔR = 1.32 Ω
Vab = mV
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 200 kg에서 1.5 mV/V입니다. 여기 전압은 10 V입니다. 하중 160 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
1.5 mV/VFrated = 200 kgVs = 10 VF = 160 kg
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.525 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2ΔR = 0.525 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 60 Ω
- 2. R3 = 80 Ω
- 3. Rth = 100.5 Ω
- 4. Vab = 9 mV
- 5. Vo = 12 mV
- 6. ε = 750 µε
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