그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 500 Ω, R₂ = 100 Ω, R₄ = 300 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 500 ΩR2 = 100 ΩR4 = 300 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 5 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 1000 ΩR2 = 600 ΩR3 = 80 ΩR4 = 50 Ω
Is = mA
3.보통
150 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 150 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 3 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 3 VR = 150 Ω
Pg = mW
4.보통
브리지의 네 변이 모두 300 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 30 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 300 ΩΔR = 30 Ω
Vab = mV
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2)에 5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 400 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2εmax = 400 µεVFS = 2.5 V
G =
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 3 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.8 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2Vo = 1.8 mV
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 1500 Ω
- 2. Is = 41.59 mA
- 3. Pg = 15 mW
- 4. Vab = 214.3 mV
- 5. G = 2500
- 6. ε = 1200 µε
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