그림의 브리지에서 Vs = 5 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 5 VR1 = 200 ΩR2 = 100 ΩR3 = 500 ΩR4 = 1000 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 20 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 40 ΩR2 = 200 ΩR3 = 20 Ω
R4 = Ω
3.보통
220 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 220 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 220 Ω
Pg = mW
4.보통
브리지의 네 변이 모두 500 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 5 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 500 ΩΔR = 5 Ω
Vab = mV
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.05)에 2.5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 800 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.05εmax = 800 µεVFS = 2.5 V
G =
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05ε = 1500 µε
Vo = mV
정답표
- 1. Vab = −1.667 V
- 2. R4 = 100 Ω
- 3. Pg = 113.6 mW
- 4. Vab = 25 mV
- 5. G = 2439
- 6. Vo = 15.38 mV
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