그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 12 VR1 = 200 ΩR2 = 20 ΩR3 = 80 ΩR4 = 600 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 6 V, R₁ = 400 Ω, R₂ = 150 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 400 ΩR2 = 150 ΩR3 = 600 ΩR4 = 50 Ω
Va = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 500 Ω이고 Vs = 12 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 25 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR = 500 ΩΔR = 25 Ω
Vab = mV
4.보통
네 변이 모두 250 Ω인 브리지에 3 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 29.41 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR = 250 ΩVab = 29.41 mV
ΔR = Ω
5.어려움
게이지율 2.1인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.378 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2.1ΔR = 0.378 Ω
ε = µε
6.어려움
E = 200 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 3 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 0.375 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2Vo = 0.375 mVE = 200 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. Is = 72.19 mA
- 2. Va = 1.636 V
- 3. Vab = 146.3 mV
- 4. ΔR = 9.999 Ω
- 5. ε = 1500 µε
- 6. σ = 50 MPa
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