그림의 브리지에 Vs = 3 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 40 ΩR2 = 120 ΩR3 = 400 ΩR4 = 80 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 50 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 40 ΩR2 = 200 ΩR3 = 50 Ω
R4 = Ω
3.보통
네 변이 모두 470 Ω인 브리지에 15 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 37.31 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR = 470 ΩVab = 37.31 mV
ΔR = Ω
4.보통
1000 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 1000 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 3 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 3 VR = 1000 Ω
Pg = mW
5.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 2.5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 0.938 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2Vo = 0.938 mVE = 70 GPa
σ = MPa
6.어려움
게이지율 2.1인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.588 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2.1ΔR = 0.588 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Is = 25 mA
- 2. R4 = 250 Ω
- 3. ΔR = 4.7 Ω
- 4. Pg = 2.25 mW
- 5. σ = 52.53 MPa
- 6. ε = 800 µε
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