그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 800 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 40 ΩR2 = 800 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 2 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 120 ΩR2 = 50 ΩR3 = 60 ΩR4 = 40 Ω
Vab = V
3.보통
150 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 150 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 150 Ω
Pg = mW
4.보통
네 변이 모두 1000 Ω인 브리지에 3 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 7.46 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR = 1000 ΩVab = 7.46 mV
ΔR = Ω
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 600 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 3.3 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2εmax = 600 µεVFS = 3.3 V
G =
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1ε = 200 µε
Vo = mV
정답표
- 1. R4 = 1200 Ω
- 2. Vab = −0.2118 V
- 3. Pg = 166.7 mW
- 4. ΔR = 9.996 Ω
- 5. G = 1100
- 6. Vo = 1.05 mV
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