그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 100 Ω, R₂ = 100 Ω, R₃ = 500 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 100 ΩR2 = 100 ΩR3 = 500 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 15 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 800 ΩR2 = 600 ΩR3 = 40 ΩR4 = 60 Ω
Is = mA
3.보통
브리지의 네 변이 모두 100 Ω이고 Vs = 15 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR = 100 ΩΔR = 5 Ω
Vab = mV
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 200 ΩR2 = 200 ΩR3 = 800 ΩR4 = 60 Ω
Rth = Ω
5.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 10 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 3.18 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.12Vo = 3.18 mVE = 70 GPa
σ = MPa
6.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 250 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1ε = 250 µε
Vo = mV
정답표
- 1. R4 = 500 Ω
- 2. Is = 160.7 mA
- 3. Vab = 182.9 mV
- 4. Rth = 155.8 Ω
- 5. σ = 42 MPa
- 6. Vo = 2.625 mV
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