그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 800 Ω, R₄ = 20 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 80 ΩR2 = 800 ΩR4 = 20 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 100 Ω, R₂ = 50 Ω, R₃ = 100 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 100 ΩR2 = 50 ΩR3 = 100 Ω
R4 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 120 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.96 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 120 ΩΔR = 0.96 Ω
Vab = mV
4.보통
네 변이 모두 200 Ω인 브리지에 9 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 22.39 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR = 200 ΩVab = 22.39 mV
ΔR = Ω
5.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 2.5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.25 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2Vo = 1.25 mVE = 70 GPa
σ = MPa
6.어려움
게이지율 2.1인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 2.52 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2.1ΔR = 2.52 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 2 Ω
- 2. R4 = 50 Ω
- 3. Vab = 18 mV
- 4. ΔR = 2 Ω
- 5. σ = 70 MPa
- 6. ε = 1200 µε
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