그림의 브리지에 Vs = 6 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 6 VR1 = 300 ΩR2 = 800 ΩR3 = 600 ΩR4 = 400 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 15 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 1000 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 200 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 50 ΩR2 = 60 ΩR3 = 40 ΩR4 = 1000 Ω
Rth = Ω
4.보통
네 변이 모두 470 Ω인 브리지에 5 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 96.15 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR = 470 ΩVab = 96.15 mV
ΔR = Ω
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.12)에 2.5 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 500 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.12εmax = 500 µεVFS = 2.5 V
G =
6.어려움
E = 210 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.1)가 10 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.313 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1Vo = 1.313 mVE = 210 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. Is = 11.45 mA
- 2. Vab = 5 V
- 3. Rth = 65.73 Ω
- 4. ΔR = 37.6 Ω
- 5. G = 3774
- 6. σ = 52.52 MPa
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