그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 600 Ω, R₂ = 800 Ω, R₄ = 100 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 600 ΩR2 = 800 ΩR4 = 100 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 250 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 50 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 250 ΩR2 = 200 ΩR3 = 50 Ω
R4 = Ω
3.보통
470 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 470 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 470 Ω
Pg = mW
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 10 ΩR2 = 50 ΩR3 = 250 ΩR4 = 20 Ω
Rth = Ω
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.12ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.525 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2ΔR = 0.525 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 75 Ω
- 2. R4 = 40 Ω
- 3. Pg = 19.15 mW
- 4. Rth = 26.85 Ω
- 5. Vo = 9.54 mV
- 6. ε = 750 µε
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