그림의 브리지에 Vs = 10 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 60 ΩR2 = 100 ΩR3 = 50 ΩR4 = 500 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 5 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 100 ΩR2 = 10 ΩR3 = 40 ΩR4 = 100 Ω
Is = mA
3.보통
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 8 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR = 1000 ΩΔR = 8 Ω
Vab = mV
4.보통
브리지의 네 변이 모두 250 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 37.5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 250 ΩΔR = 37.5 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12ε = 200 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.56 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2ΔR = 0.56 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Is = 80.68 mA
- 2. Is = 81.17 mA
- 3. Vab = 6 mV
- 4. Vab = 314 mV
- 5. Vo = 1.06 mV
- 6. ε = 800 µε
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