그림의 브리지에서 Vs = 10 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 50 ΩR2 = 120 ΩR3 = 150 ΩR4 = 40 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 50 Ω, R₂ = 1000 Ω, R₄ = 150 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 50 ΩR2 = 1000 ΩR4 = 150 Ω
R3 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 8 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 1000 ΩΔR = 8 Ω
Vab = mV
4.보통
470 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 470 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 470 Ω
Pg = mW
5.어려움
게이지율 2.1인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.1837 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2.1ΔR = 0.1837 Ω
ε = µε
6.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 200 kg에서 1 mV/V입니다. 여기 전압은 12 V입니다. 하중 150 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
1 mV/VFrated = 200 kgVs = 12 VF = 150 kg
Vo = mV
정답표
- 1. Vab = 4.954 V
- 2. R3 = 7.5 Ω
- 3. Vab = 12 mV
- 4. Pg = 13.3 mW
- 5. ε = 250 µε
- 6. Vo = 9 mV
자세한 단계별 풀이: examproblems.com에서 이 주제를 연습하세요.