그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 400 Ω, R₂ = 80 Ω, R₄ = 40 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 400 ΩR2 = 80 ΩR4 = 40 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 250 Ω, R₂ = 300 Ω, R₃ = 80 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 250 ΩR2 = 300 ΩR3 = 80 Ω
R4 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 120 Ω이고 Vs = 15 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.12 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR = 120 ΩΔR = 0.12 Ω
Vab = mV
4.보통
네 변이 모두 500 Ω인 브리지에 5 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 49.02 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR = 500 ΩVab = 49.02 mV
ΔR = Ω
5.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.12 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.12 Ω
ε = µε
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.1)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 2.1 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1Vo = 2.1 mV
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 200 Ω
- 2. R4 = 96 Ω
- 3. Vab = 3.75 mV
- 4. ΔR = 20 Ω
- 5. ε = 500 µε
- 6. ε = 800 µε
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