그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 60 Ω, R₄ = 60 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 300 ΩR2 = 60 ΩR4 = 60 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 500 Ω, R₂ = 10 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 500 ΩR2 = 10 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
3.보통
350 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 350 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 350 Ω
Pg = mW
4.보통
브리지의 네 변이 모두 120 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.6 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR = 120 ΩΔR = 0.6 Ω
Vab = mV
5.어려움
E = 110 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.325 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12Vo = 1.325 mVE = 110 GPa
σ = MPa
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 3 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.8 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2Vo = 1.8 mV
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 300 Ω
- 2. R4 = 1.2 Ω
- 3. Pg = 25.71 mW
- 4. Vab = 6.25 mV
- 5. σ = 55 MPa
- 6. ε = 1200 µε
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