정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

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1.쉬움
+−15 VR1​ = 40 ΩR2​ = 500 ΩR3​ = 250 ΩR4​ = ?abG0

그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 500 Ω, R₃ = 250 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.

R1 = 40 ΩR2 = 500 ΩR3 = 250 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
+−12 VR1​ = 600 ΩR2​ = 300 ΩR3​ = 600 ΩR4​ = ?abG0

그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 600 Ω, R₂ = 300 Ω, R₃ = 600 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.

R1 = 600 ΩR2 = 300 ΩR3 = 600 Ω
R4 = Ω
3.보통
+−10 V400 Ω400 Ω + ΔR400 Ω400 Ωab+−Vab​ = ?

브리지의 네 변이 모두 400 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 1 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 10 VR = 400 ΩΔR = 1 Ω
Vab = mV
4.보통
+−3 V1000 Ω1000 Ω1000 Ω1000 Ωab+−

1000 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 1000 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 3 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.

Vs = 3 VR = 1000 Ω
Pg = mW
5.어려움
+−10 V1000 Ω − ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω − ΔRab+−Vo​ = ?

네 변이 1000 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 10 VGF = 2ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
+−2.5 V350 Ω − ΔR350 Ω + ΔR350 Ω + ΔR350 Ω − ΔRab+−Vo​ = ?

네 변이 350 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 2.5 VGF = 2.1ε = 200 µε
Vo = mV

정답표

  1. 1. R4 = 3125 Ω
  2. 2. R4 = 300 Ω
  3. 3. Vab = 6.25 mV
  4. 4. Pg = 2.25 mW
  5. 5. Vo = 20 mV
  6. 6. Vo = 1.05 mV

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