그림의 브리지에 Vs = 6 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 6 VR1 = 60 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 50 ΩR4 = 300 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 15 V, R₁ = 40 Ω, R₂ = 50 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 40 ΩR2 = 50 ΩR3 = 250 ΩR4 = 200 Ω
Va = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 350 Ω이고 Vs = 15 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 17.5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR = 350 ΩΔR = 17.5 Ω
Vab = mV
4.보통
저항 500 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 12 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 50 ΩR2 = 250 ΩR3 = 250 ΩR4 = 50 ΩRg = 500 Ω
Ig = µA
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2ε = 1200 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.14 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2ΔR = 0.14 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Is = 22.8 mA
- 2. Va = 8.333 V
- 3. Vab = 182.9 mV
- 4. Ig = 13714 µA
- 5. Vo = 24 mV
- 6. ε = 200 µε
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