정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

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이름: ____________________   날짜: ____________

1.쉬움
+−10 VR1​ = 20 ΩR2​ = 250 ΩR3​ = 400 ΩR4​ = 60 Ωab+−

그림의 브리지에서 Vs = 10 V, R₁ = 20 Ω, R₂ = 250 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.

Vs = 10 VR1 = 20 ΩR2 = 250 ΩR3 = 400 ΩR4 = 60 Ω
Va = V
2.쉬움
+−6 VR1​ = 1000 ΩR2​ = 500 ΩR3​ = 250 ΩR4​ = ?abG0

그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 1000 Ω, R₂ = 500 Ω, R₃ = 250 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.

R1 = 1000 ΩR2 = 500 ΩR3 = 250 Ω
R4 = Ω
3.보통
+−6 V330 Ω330 Ω330 Ω330 Ωab+−

330 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 330 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.

Vs = 6 VR = 330 Ω
Pg = mW
4.보통
+−6 V500 Ω500 Ω500 Ω500 Ωab+−

500 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 500 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.

Vs = 6 VR = 500 Ω
Pg = mW
5.어려움
+−V1000 Ω1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−

게이지율 2.1인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 1.05 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 1000 ΩGF = 2.1ΔR = 1.05 Ω
ε = µε
6.어려움
+−5 V350 Ω − ΔR350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−Vo​ = ?

네 변이 350 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 250 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 5 VGF = 2ε = 250 µε
Vo = mV

정답표

  1. 1. Va = 9.259 V
  2. 2. R4 = 125 Ω
  3. 3. Pg = 27.27 mW
  4. 4. Pg = 18 mW
  5. 5. ε = 500 µε
  6. 6. Vo = 1.25 mV

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