Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 6 V wymusza prąd przez rezystor 2,2 kΩ połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Źródło napięcia stałego 10 V wymusza prąd przez rezystor 470 Ω połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 120 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 330 kΩ z zasilania V_CC = 9 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 1 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Tranzystor NPN o β = 50 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 390 kΩ z zasilania V_CC = 15 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 1 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Tranzystor NPN o β = 50 przełącza rezystor obciążenia 330 Ω włączony między V_CC = 5 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 5 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.

Tranzystor NPN o β = 50 przełącza rezystor obciążenia 100 Ω włączony między V_CC = 5 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 4 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.