Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 5 V wymusza prąd przez rezystor 2,2 kΩ połączony szeregowo z diodą krzemową spolaryzowaną w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Źródło napięcia stałego 24 V wymusza prąd przez rezystor 1,5 kΩ połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 200 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 15 V: R₁ = 22 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 10 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 1 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 680 Ω. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 200 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 18 V: R₁ = 47 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 4,7 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 4,7 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 1 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Dioda jest modelowana jako 0,7 V szeregowo z 25 Ω (przewodzi powyżej 0,7 V). Jest połączona szeregowo z rezystorem 470 Ω i zasilana napięciem 3 V. Wyznacz prąd pracy I_D w punkcie, w którym prosta diody przecina prostą obciążenia.

Tranzystor NPN o β = 200 przełącza rezystor obciążenia 150 Ω włączony między V_CC = 5 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 10 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.