Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 9 V wymusza prąd przez rezystor 470 Ω połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Źródło napięcia stałego 3 V wymusza prąd przez rezystor 680 Ω połączony szeregowo z diodą krzemową spolaryzowaną w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 80 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 270 kΩ z zasilania V_CC = 9 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 1 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 120 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 560 kΩ z zasilania V_CC = 15 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 2,2 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 100 przełącza rezystor obciążenia 330 Ω włączony między V_CC = 5 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.

Tranzystor NPN o β = 200 przełącza rezystor obciążenia 100 Ω włączony między V_CC = 9 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 5 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.