Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 24 V wymusza prąd przez rezystor 680 Ω połączony szeregowo z diodą krzemową spolaryzowaną w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Źródło napięcia stałego 6 V wymusza prąd przez rezystor 3,3 kΩ połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 100 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 20 V: R₁ = 22 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 6,8 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 5,6 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 2,2 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 100 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 270 kΩ z zasilania V_CC = 9 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 1,2 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Dioda jest modelowana jako 0,7 V szeregowo z 50 Ω (przewodzi powyżej 0,7 V). Jest połączona szeregowo z rezystorem 150 Ω i zasilana napięciem 12 V. Wyznacz prąd pracy I_D w punkcie, w którym prosta diody przecina prostą obciążenia.

Tranzystor NPN o β = 80 przełącza rezystor obciążenia 470 Ω włączony między V_CC = 12 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.