Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Dioda Zenera 5,6 V jest zasilana napięciem 15 V przez rezystor 100 Ω, bez podłączonego obciążenia. Wyznacz prąd I_R w rezystorze.

Dioda Zenera 5,1 V jest zasilana napięciem 15 V przez rezystor 270 Ω, bez podłączonego obciążenia. Wyznacz prąd I_R w rezystorze.

Tranzystor NPN o β = 150 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 15 V: R₁ = 82 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 15 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 2,2 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 680 Ω. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Tranzystor NPN o β = 80 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 12 V: R₁ = 56 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 15 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 1,5 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 1,2 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Tranzystor NPN o β = 80 przełącza rezystor obciążenia 330 Ω włączony między V_CC = 24 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 2 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.

Tranzystor NPN o β = 150 przełącza rezystor obciążenia 1 kΩ włączony między V_CC = 24 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 5 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.