Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 10 V jest połączone przez rezystor R₁ = 330 Ω z węzłem X. Od węzła X do ujemnego zacisku źródła prowadzą dwie równoległe ścieżki: rezystor R₂ = 2,2 kΩ oraz dioda krzemowa z anodą w X. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V. Wyznacz prąd diody I_D w mA.

Źródło napięcia stałego 15 V wymusza prąd przez rezystor 1,5 kΩ połączony szeregowo z dwiema diodami krzemowymi spolaryzowanymi w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 200 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 100 kΩ z zasilania V_CC = 12 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 470 Ω, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 80 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 15 V: R₁ = 68 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 12 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 2,2 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 680 Ω. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 50 przełącza rezystor obciążenia 470 Ω włączony między V_CC = 12 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 4 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.

Tranzystor NPN o β = 200 przełącza rezystor obciążenia 150 Ω włączony między V_CC = 9 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.