Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Dioda Zenera 6,2 V jest zasilana napięciem 20 V przez rezystor 150 Ω, bez podłączonego obciążenia. Wyznacz prąd I_R w rezystorze.

Źródło napięcia stałego 5 V wymusza prąd przez rezystor 1 kΩ połączony szeregowo z diodą krzemową spolaryzowaną w kierunku przewodzenia. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V na każdą przewodzącą diodę. Wyznacz prąd I w mA.

Tranzystor NPN o β = 80 jest spolaryzowany rezystorem bazowym R_B = 1000 kΩ z zasilania V_CC = 10 V. Rezystor kolektorowy to R_C = 2,2 kΩ, a emiter jest uziemiony. Przyjmij V_BE = 0,7 V i załóż, że tranzystor pracuje w obszarze aktywnym. Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 120 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 15 V: R₁ = 39 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 10 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 1,5 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 1,5 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 150 przełącza rezystor obciążenia 100 Ω włączony między V_CC = 12 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 5 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz największy rezystor bazowy R_B, w kΩ, który jeszcze wprowadza tranzystor w nasycenie.

Tranzystor NPN o β = 100 przełącza rezystor obciążenia 150 Ω włączony między V_CC = 12 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 5 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.