Diody i tranzystory: karta pracy z odpowiedziami

Źródło napięcia stałego 5 V jest połączone przez rezystor R₁ = 330 Ω z węzłem X. Od węzła X do ujemnego zacisku źródła prowadzą dwie równoległe ścieżki: rezystor R₂ = 470 Ω oraz dioda krzemowa z anodą w X. Użyj modelu ze stałym spadkiem 0,7 V. Wyznacz prąd diody I_D w mA.

Dioda Zenera 3,3 V jest zasilana napięciem 18 V przez rezystor 220 Ω, bez podłączonego obciążenia. Wyznacz prąd I_R w rezystorze.

Tranzystor NPN o β = 80 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 18 V: R₁ = 82 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 8,2 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 3,3 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 1,2 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz prąd kolektora I_C w mA.

Tranzystor NPN o β = 200 jest spolaryzowany dzielnikiem napięcia z V_CC = 12 V: R₁ = 39 kΩ od V_CC do bazy i R₂ = 8,2 kΩ od bazy do masy. Rezystor kolektorowy to R_C = 5,6 kΩ, a rezystor emiterowy R_E = 1,2 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i użyj zastępczego układu Thévenina dla dzielnika (nie pomijaj prądu bazy). Wyznacz napięcie kolektor–emiter V_CE.

Tranzystor NPN o β = 100 przełącza rezystor obciążenia 220 Ω włączony między V_CC = 24 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B = 10 kΩ. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Wyznacz prąd kolektora I_C w mA, gdy na wejściu jest stan wysoki. Najpierw ustal, czy tranzystor jest nasycony.

Tranzystor NPN o β = 150 przełącza rezystor obciążenia 470 Ω włączony między V_CC = 24 V a jego kolektor. Emiter jest uziemiony. Baza jest sterowana z wyjścia logicznego 3,3 V przez rezystor bazowy R_B. Przyjmij V_BE = 0,7 V i V_CE(sat) = 0,2 V. Dla niezawodnego przełączania zaprojektuj prąd bazy 3 razy większy od minimalnego potrzebnego do nasycenia. Wyznacz R_B w kΩ.