Lista de exercícios de Diodos e transistores com respostas

Uma fonte CC de 5 V faz passar corrente por um resistor de 2,2 kΩ em série com um diodo de silício polarizado diretamente. Use o modelo de queda constante com 0,7 V por diodo em condução. Encontre a corrente I em mA.

Uma fonte CC de 24 V faz passar corrente por um resistor de 1,5 kΩ em série com dois diodos de silício polarizados diretamente. Use o modelo de queda constante com 0,7 V por diodo em condução. Encontre a corrente I em mA.

Um transistor NPN com β = 200 tem polarização por divisor de tensão a partir de V_CC = 15 V: R₁ = 22 kΩ de V_CC até a base e R₂ = 10 kΩ da base até o terra. O resistor de coletor é R_C = 1 kΩ e o resistor de emissor é R_E = 680 Ω. Considere V_BE = 0,7 V e use o equivalente de Thévenin do divisor (não despreze a corrente de base). Encontre a corrente de coletor I_C em mA.

Um transistor NPN com β = 200 tem polarização por divisor de tensão a partir de V_CC = 18 V: R₁ = 47 kΩ de V_CC até a base e R₂ = 4,7 kΩ da base até o terra. O resistor de coletor é R_C = 4,7 kΩ e o resistor de emissor é R_E = 1 kΩ. Considere V_BE = 0,7 V e use o equivalente de Thévenin do divisor (não despreze a corrente de base). Encontre a corrente de coletor I_C em mA.

Um diodo é modelado como 0,7 V em série com 25 Ω (ele conduz acima de 0,7 V). Ele está em série com um resistor de 470 Ω em uma fonte de 3 V. Encontre a corrente de operação I_D onde a reta do diodo encontra a reta de carga.

Um transistor NPN com β = 200 chaveia um resistor de carga de 150 Ω ligado entre V_CC = 5 V e o seu coletor. O emissor está aterrado. A base é acionada por uma saída lógica de 3,3 V através de um resistor de base R_B. Considere V_BE = 0,7 V e V_CE(sat) = 0,2 V. Para um chaveamento confiável, projete para uma corrente de base 10 vezes a mínima necessária para a saturação. Encontre R_B em kΩ.