Uma fonte CC de 9 V está ligada por meio do resistor R₁ = 680 Ω a um nó X. Do nó X até o terminal negativo da fonte há dois caminhos em paralelo: o resistor R₂ = 470 Ω e um diodo de silício com o anodo em X. Use o modelo de queda constante com 0,7 V. Encontre a corrente no diodo ID em mA.
Lista de exercícios de Diodos e transistores com respostas
Uma fonte CC de 15 V faz passar corrente por um resistor de 330 Ω em série com dois diodos de silício polarizados diretamente. Use o modelo de queda constante com 0,7 V por diodo em condução. Encontre a corrente I em mA.
Um transistor NPN com β = 80 tem polarização por divisor de tensão a partir de VCC = 15 V: R₁ = 22 kΩ de VCC até a base e R₂ = 6,8 kΩ da base até o terra. O resistor de coletor é RC = 1 kΩ e o resistor de emissor é RE = 470 Ω. Considere VBE = 0,7 V e use o equivalente de Thévenin do divisor (não despreze a corrente de base). Encontre a tensão coletor–emissor VCE.
Um transistor NPN com β = 100 tem polarização por divisor de tensão a partir de VCC = 12 V: R₁ = 33 kΩ de VCC até a base e R₂ = 8,2 kΩ da base até o terra. O resistor de coletor é RC = 5,6 kΩ e o resistor de emissor é RE = 1,5 kΩ. Considere VBE = 0,7 V e use o equivalente de Thévenin do divisor (não despreze a corrente de base). Encontre a tensão coletor–emissor VCE.
Um transistor NPN com β = 200 chaveia um resistor de carga de 330 Ω ligado entre VCC = 12 V e o seu coletor. O emissor está aterrado. A base é acionada por uma saída lógica de 3,3 V através de um resistor de base RB. Considere VBE = 0,7 V e VCE(sat) = 0,2 V. Encontre o maior resistor de base RB, em kΩ, que ainda leva o transistor exatamente à saturação.
Um transistor NPN com β = 100 chaveia um resistor de carga de 680 Ω ligado entre VCC = 5 V e o seu coletor. O emissor está aterrado. A base é acionada por uma saída lógica de 3,3 V através de um resistor de base RB. Considere VBE = 0,7 V e VCE(sat) = 0,2 V. Para um chaveamento confiável, projete para uma corrente de base 2 vezes a mínima necessária para a saturação. Encontre RB em kΩ.
Gabarito
- 1. ID = 10,72 mA
- 2. I = 41,21 mA
- 3. VCE = 7,245 V
- 4. VCE = 4,4 V
- 5. RB = 14,54 kΩ
- 6. RB = 18,42 kΩ
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