Lista de exercícios de Diodos e transistores com respostas

Uma fonte CC de 5 V faz passar corrente por um resistor de 1 kΩ em série com dois diodos de silício polarizados diretamente. Use o modelo de queda constante com 0,7 V por diodo em condução. Encontre a corrente I em mA.

Uma fonte CC de 10 V está ligada por meio do resistor R₁ = 2,2 kΩ a um nó X. Do nó X até o terminal negativo da fonte há dois caminhos em paralelo: o resistor R₂ = 3,3 kΩ e um diodo de silício com o anodo em X. Use o modelo de queda constante com 0,7 V. Encontre a corrente no diodo I_D em mA.

Um transistor NPN com β = 80 tem polarização por divisor de tensão a partir de V_CC = 20 V: R₁ = 68 kΩ de V_CC até a base e R₂ = 10 kΩ da base até o terra. O resistor de coletor é R_C = 2,2 kΩ e o resistor de emissor é R_E = 1 kΩ. Considere V_BE = 0,7 V e use o equivalente de Thévenin do divisor (não despreze a corrente de base). Encontre a tensão coletor–emissor V_CE.

Um transistor NPN com β = 50 é polarizado por um resistor de base R_B = 1000 kΩ a partir da alimentação V_CC = 15 V. O resistor de coletor é R_C = 4,7 kΩ e o emissor está aterrado. Considere V_BE = 0,7 V e suponha que o transistor está na região ativa. Encontre a tensão coletor–emissor V_CE.

Um transistor NPN com β = 150 chaveia um resistor de carga de 1 kΩ ligado entre V_CC = 12 V e o seu coletor. O emissor está aterrado. A base é acionada por uma saída lógica de 3,3 V através de um resistor de base R_B. Considere V_BE = 0,7 V e V_CE(sat) = 0,2 V. Para um chaveamento confiável, projete para uma corrente de base 4 vezes a mínima necessária para a saturação. Encontre R_B em kΩ.

Um transistor NPN com β = 50 chaveia um resistor de carga de 100 Ω ligado entre V_CC = 5 V e o seu coletor. O emissor está aterrado. A base é acionada por uma saída lógica de 3,3 V através de um resistor de base R_B = 220 kΩ. Considere V_BE = 0,7 V e V_CE(sat) = 0,2 V. Encontre a corrente de coletor I_C em mA quando a entrada está em nível alto. Decida primeiro se o transistor está saturado.