Источник постоянного напряжения 12 V через резистор R₁ = 330 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 3,3 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Светодиод (жёлтый) с прямым напряжением 2,1 V питается от источника 12 V через последовательный резистор. Найдите сопротивление R, при котором ток светодиода равен 10 mA.
Стабилизатор на стабилитроне 5,6 V питается от 9 V через 270 Ω и питает нагрузку 2200 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
NPN-транзистор с β = 200 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 100 kΩ от VCC к базе и R₂ = 12 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 3,3 kΩ, резистор эмиттера RE = 470 Ω. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB = 220 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 470 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.