Стабилитрон на 12 V питается от 24 V через резистор 270 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 24 V пропускает ток через резистор 1,5 kΩ, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 80 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 56 kΩ от VCC к базе и R₂ = 10 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 5,6 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён делителем напряжения от VCC = 12 V: R₁ = 33 kΩ от VCC к базе и R₂ = 8,2 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 100 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 10 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Ответы
- 1. IR = 44,44 mA
- 2. I = 15,53 mA
- 3. IC = 1,535 mA
- 4. VCE = 4,032 V
- 5. IC = 4,8 mA
- 6. RB = 6,61 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.