Источник постоянного напряжения 12 V пропускает ток через резистор 1 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 12 V через резистор R₁ = 1,5 kΩ подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 3,3 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён резистором базы RB = 100 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 470 Ω, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Стабилизатор на стабилитроне 5,1 V питается от 20 V через 100 Ω и питает нагрузку 1500 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
NPN-транзистор с β = 150 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 47 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 3 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Ответы
- 1. I = 10,6 mA
- 2. ID = 7,321 mA
- 3. VCE = 4,319 V
- 4. IZ = 145,6 mA
- 5. IC = 4,8 mA
- 6. RB = 14,93 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.