Источник постоянного напряжения 9 V пропускает ток через резистор 1,5 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Источник постоянного напряжения 24 V пропускает ток через резистор 470 Ω, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён резистором базы RB = 820 kΩ от источника питания VCC = 15 V. Резистор коллектора RC = 1,2 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 56 kΩ от VCC к базе и R₂ = 15 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 100 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Диод моделируется напряжением 0,6 V последовательно с 50 Ω (он проводит выше 0,6 V). Он включён последовательно с резистором 330 Ω к источнику 3 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.