Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами

Источник постоянного напряжения 12 V через резистор R₁ = 330 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 3,3 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода I_D в mA.

Стабилитрон на 6,2 V питается от 15 V через резистор 220 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток I_R в резисторе.

NPN-транзистор с β = 200 смещён делителем напряжения от V_CC = 20 V: R₁ = 56 kΩ от V_CC к базе и R₂ = 22 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора R_C = 2,2 kΩ, резистор эмиттера R_E = 1,2 kΩ. Примите V_BE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора I_C в mA.

NPN-транзистор с β = 200 смещён резистором базы R_B = 1000 kΩ от источника питания V_CC = 9 V. Резистор коллектора R_C = 3,3 kΩ, эмиттер заземлён. Примите V_BE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер V_CE.

NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между V_CC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы R_B = 100 kΩ. Примите V_BE = 0,7 V и V_CE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора I_C в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.

NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между V_CC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы R_B. Примите V_BE = 0,7 V и V_CE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 3 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите R_B в kΩ.