Источник постоянного напряжения 6 V пропускает ток через резистор 680 Ω, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Стабилитрон на 9,1 V питается от 20 V через резистор 680 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.
NPN-транзистор с β = 120 смещён резистором базы RB = 150 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 1,2 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
Стабилизатор на стабилитроне 5,1 V питается от 12 V через 330 Ω и питает нагрузку 3300 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
NPN-транзистор с β = 150 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 4 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 470 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.