Источник постоянного напряжения 12 V пропускает ток через резистор 220 Ω, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Источник постоянного напряжения 15 V пропускает ток через резистор 4,7 kΩ, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён делителем напряжения от VCC = 15 V: R₁ = 39 kΩ от VCC к базе и R₂ = 8,2 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Стабилизатор на стабилитроне 6,2 V питается от 9 V через 470 Ω и питает нагрузку 2200 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 10 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.